Automotive-qualifizierte Dual-Power-SO8-MOSFETs LFPAK56D deutlich kleiner als entsprechende DPAK-Varianten

Dual-Power-S08-MOSFETs
Dual-Power-S08-MOSFETs

Die LFPAK56D-Familie von NXP Semiconductors sind leistungsfähige Dual-Power-SO8-MOSFETs, die speziell für den Einsatz in Automotive-Anwendungen wie Kraftstoffeinspritzungen, ABS-Systemen und Stabilitätskontrollen entwickelt wurde.

Die LFPAK56D-Bauteile kombinieren zwei vollständig voneinander isolierte MOSFETS in einem gemeinsamen Gehäuse und erfüllen damit die strengen Anforderungen der Automobilindustrie. Mit einer hohen Auswahl an RDson-Werten in fünf Spannungsklassen bieten sie laut Unternehmensangabe beste Werte bei Leistung, Strombelastbarkeit und Zuverlässigkeit.

Für die spezifischen Applikations- und Steuergeräteanforderungen bietet das Portfolio der neuen Dual-Power-SO8 MOSFET-Familie dem Kunden vielfältige Möglichkeiten in der Auswahl des am besten geeigneten Produktes, wodurch wesentlich höhere Leistungsdichten erzielt werden können.

Eine Schaltungsentwicklung mit LFPAK56D-Gehäuse bietet durch eine einfachere Leiterplattenbestückung, unkompliziertere Prüfprozesse und kleinere Leiterplattengrößen entscheidende Kostenvorteile. Kompaktere elektronische Steuergeräte (ECU) bedeuten auch eine beträchtliche Gewichtsersparnis, die insbesondere für Hersteller mit spezifischen CO2-Reduktionszielen besonders attraktiv ist.

Basierend auf dem besonderem Know-how von NXP bei LFPAK56s – den branchenweit ersten, vollständig AEC-Q101-qualifizierten Power-SO8-Gehäusen – führt das Unternehmen die dort zum Einsatz kommende, besonders zuverlässige „Copper Clip“-Bondingtechnologie jetzt auch bei seinen Dual- Power-SO8-MOSFETs in LFPAK56D-Gehäusen ein. Diese Technologie ist die Grundlage für die besonderen Vorteile des LFPAK56D bei Gehäusewiderstand, Induktivität und hohen maximalen Drainströmen ID.