Schaltbarer Leistungsverstärker für WCDMA-Handys

Der neue, schaltbare Leistungsverstärker für WCDMA-Mobilfunkgeräte von Mitsubishi Electric verlängert durch verbesserten Wirkungsgrad die Sprechzeit und senkt gleichzeitig die Anzahl der Bauelemente, da der bisher in derartigen Leistungsverstärkern benötigte DC/DC-Wandler entfällt.

Das Gehäuse des InGaP-HBT-Moduls (HBT: Hetero-Junction Bipolar Transistor) »BA01254« misst lediglich 4 x 4 x 1,2 mm und besitzt bei einer Verstärkung von 26,5 dB eine maximale Ausgangsleistung von 27,0 dBm. Bei Ausgangsleistungen von 27 dBm beträgt der Wirkungsgrad 40 Prozent, bei 16 dBm 24 Prozent und bei 8 dB 7 Prozent (im HSDPA-Modus).

Das Modul ist für das UMTS Band 1 (1920 bis 1980 MHz) ausgelegt und nimmt bei einer Versorgungsspannung von 3,4 V einen Ruhestrom von 12 mA auf. Während die Rauschleistung im Empfangsband mit einem typischen Wert von -139 dBm/Hz spezifiziert ist, fällt der Parameter ACLR5 (Adjacent Channel Leakage Power Ratio, Nachbarkanal-Leckleistungsverhältnis) mit -41 dBc oder -52 dBc sehr niedrig aus.

Der Hersteller hat angekündigt, demnächst schaltbare Leistungsverstärker-Module auch für Band 9 (1752,4 bis 1782,6 MHz), Band 2 (1850 bis 1910 MHz) sowie Band 5 (824 bis 849 MHz) auf den Markt zu bringen.