GaInP-HBT-Verstärkermodul für WiMAX-Terminals

Mitsubishi Electric hat jetzt das integrierte GaInP-HBT-Verstärkermodul »MGFS36E2527« auf den Markt gebracht.

GaInP-HBT steht für »Gallium Indium Phosphide Heterojunction Bipolar Transistor«. Diese Technologie findet sich bisher vor allem in Halbleitern für Mobiltelefone und ermöglicht einen hohen Wirkungsgrad. Der neue »MGFS36E2527« ist speziell auf WiMAX (Worldwide Interoperability for Microwave Access) abgestimmt und erhöht die Ausgangsleistung auf 27 dBm, wobei der Vektorfehler EVM (Error Vector Magnitude) unter 2,5 Prozent liegt. Die Verstärkung beträgt über 32 dB. Beim Modulationsverfahren 64 QAM (Quadratur-Amplitudenmodulation) erzielt das Bauelement bis zu einer Ausgangsleitung von über 27 dBm (das entspricht etwa 500 mW) eine sehr gute Linearität. Das Modul kann sowohl in ortsgebundenen WiMAX-Terminals gemäß IEEE802.16-2004 als auch in mobilen WiMAX-Geräten nach dem Standard IEEE802.16e-2005 eingesetzt werden.

Der »MGFS36E2527« misst lediglich 4,5 x 4,5 mm bei 1 mm Bauhöhe und enthält einen Power-Detektor zur Regelung des Ausgangssignals sowie einen spannungsgesteuerten Stufenabschwächer mit max. 20 dB Abschwächung. Externe Anpassungsschaltungen sind nicht mehr notwendig, da das Modul sowohl auf der Eingangsseite als auch am Ausgang intern an 50 Ohm angepasst ist. Der Frequenzbereich des Verstärkermoduls liegt zwischen 2,5 und 2,7 GHz bei einer Versorgungsspannung von 6 V.