CMOS-HF-Transceiver für EDGE und 3G-Handys von Infineon

Mit dem SMARTi PM+ und dem SMARTi UE steigert Infineon die Miniaturisierung, Integration und Energieeffizienz in den Mobilfunksegmenten EDGE und Multimode 3G.

Infineon wird Muster und Referenzboards für den SMARTi-PM+ und SMARTi UE auf der 3GSM zeigen. SMARTi PM ist der kleinste Quad-Band-RF-CMOS-Transceiver der Welt für GPRS/EDGE-Handys. SMARTi UE wiederum ist der erste Single-Chip-EDGE/UMTS-RF-Transceiver der Welt mit DigRF-Basisband-Schnittstelle. Die beiden neuen SMARTi RF-Transceiver, SMARTi PM+ und SMARTi UE werden in Infineons 130-nm-CMOS-Prozess gefertigt.