High Electron Mobility Transistor auf GaN-Basis

Das Konzept „System-in-a-Package“ mit der Hybrid-Integration eines AlGaN/GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) auf einem kostengünstigen Substrat mit guter thermischer Leitfähigkeit bietet eine Reihe von Vorteilen, z.B. die Möglichkeit des Einsatzes kostengünstiger Substrate für die Züchtung von GaN-Epitaxialwafern bei gleichzeitiger Nutzung von Passivbauteilen in hoher Qualität. Gute Aussichten für HF-Leistungsverstärker.

Das Konzept „System-in-a-Package“ mit der Hybrid-Integration eines AlGaN/GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) auf einem kostengünstigen Substrat mit guter thermischer Leitfähigkeit bietet eine Reihe von Vorteilen, z.B. die Möglichkeit des Einsatzes kostengünstiger Substrate für die Züchtung von GaN-Epitaxialwafern bei gleichzeitiger Nutzung von Passivbauteilen in hoher Qualität. Gute Aussichten für HF-Leistungsverstärker.

INHALT:
Die technischen Herausforderungen von GaN-Systemen
GaN für Mikrowellen-IC-Technologie?
System-in-a-Package für die Integration von GaN-HEMTs
GaN-Hybridintegration auf einem AlN-Substrat
Nachweis der Machbarkeit
Von kleinen Bausteinen zur Multi-Finger-Integration
Ermutigende Ergebnisse für die Fertigung
Weiterer Forschungsbedarf besteht
Literatur
Autoren