Für USVs und Solarwechselrichter Ultra-Field-Stop-IGBTs

Bei Nennstrom liegt die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung bei 1,7 V.
Bei Nennstrom liegt die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung bei 1,7 V.

ON Semiconductor präsentiert basierend auf der dritten Generation seiner Ultra-Field-Stop-Trench-Technik eine weitere IGBT-Serie.

Die von ON Semiconductor eingeführten 1200-V-Bausteine mit integrierter Fast-Recovery-Diode sind im TO-247-Gehäuse erhältlich.

Der NGBT25N120FL3WG mit Schaltverlusten von 2,7 mJ und der NGTB40N120FL3WG mit Schaltverlusten von 1,7 mJ adressieren insbesondere USVs und Solar-Wechselrichter. Für beide IGBTs beträgt die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung bei Nennstrom 1,7 V.

Hauptsächlich für Antriebssteuerungen eignet sich der NGTB40N120L3WG, der Schaltverluste von 3 mJ sowie eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,55 V aufweist.