Fairchild Siliciumcarbid-Leistungshalbleiter

Fairchild Semiconductor zeigt auf der electronica 2012 die neuste SiC-Technik (Siliciumcarbid) und stellt über 15 Beispiele aus den Bereichen Leistungselektronik und mobile Anwendungen vor.

Die SiC-Bipolar-Transistor-Technik ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad und höhere Leistungsdichte unter anderem für Solarwech­selrichter, Schweißsysteme und mobile Leistungselekt­ronik. Aus dem Bereich der LED-Beleuchtung führt das Team von Fairchild eine dimmbare 25-W-PWM-LED-Stromversorgung mit einer analogen Spannung von 1 bis 10 V vor, die einen Eingangsspannungsbereich von 85 bis 700 VAC bietet. Weitere Vorführungen umfassen einen 40-V-PowerTrench-MOSFET für den Automotive-Bereich, einen PWM-Controller für Smart Meter, der mit Frequenzen bis 190 kHz arbeitet, DC-DC-Wandler mit thermischer Regelung um Leistungsverluste zu reduzie­ren sowie speziell für portable Geräte entwickelte Halb­leiterbausteine mit geringem Stromverbrauch. Die in­dustrielle Leistungselektronik ist mit einem IGBT-Opto­kopplertreiber mit 2,5 A Ausgangsstrom und isolierter Rückkopplung und 650-V-Fieldstop-IGBTs vertreten. Au­ßerdem zeigt Fairchild eine vollständige Bewegungssteu­erung, die eine analoge und digitale Motorsteuerung mit dem zugehörigen Algorithmus und eine Anwender­schnittstelle auf einem einzigen Chip enthält.

Fairchild Semiconductor, Halle A4, Stand 506