Schnellerer NAND-Flash durch neue Schnittstellen-Technologie

Intel und Micron haben eine NAND-Flash-Speicher-Technologie entwickelt, die fünfmal höhere Lese- und Schreibgeschwindigkeiten erzielt als bisher.

Entwickelt wurde die neue Technologie von Intel und Micron. Hergestellt werden die neuen Speicher von dem gemeinsamen Joint Venture »IM Flash Technologies« (IMFT). In den Flash-Speicher können Daten mit 200 Mbyte/s gelesen und mit 100 Mbyte/s Daten geschrieben werden. Bisher waren Datenübertragungsraten von 40 Mbyte/s bzw. 20 Mbyte/s üblich.

Anwendungen für die neuen Speicher sind PCI-Express, Videoübertragung sowie die Steigerung der Leistung von Computern oder USB 3.0.

Der Grund für die hohen Geschwindigkeiten ist die Schnittstellen-Spezifikation ONFi 2.0 mit einer Datenübertragungsrate von 133 Mbyte/s. Die bisherige NAND-Schnittstelle ist auf 50 Mbyte/s beschränkt. ONFi steht für Open NAND Flash Interface Working Group. Darin sind zur Zeit 71 Firmen vertreten. Ziel der ONFi ist es, die Integration von NAND-Flash in der Konsumelektronik und bei Computern zu vereinfachen. In der nächsten Generation sollen 400 Mbyte/s erreicht werden.

Micron hat nun als erste beteiligte Firma die neuen NAND-Flash-Speicher in Größen von 8, 16 und 32 Gbyte mit der neuen Spezifikation auf den Markt gebracht.