Schnellere Chips durch neue Speicher-Technologie

eDRAM statt SRAM - IBM hat eine neue On-Chip- Speichertechnologie entwickelt, die die Leistung von Mikroprozessoren deutlich verbessern soll.

Der neue eDRAM (embedded dynamic random access memory) ist die nach eigenen Angaben schnellste dynamische On-Chip-Hauptspeichertechnologie, die es derzeit gibt und wurde mit dem Silicon-on-Insulator-(SOI-)-Verfahren entwickelt.

eDRAM soll die Mikroprozessorleistung von Multicore-Systemen erheblich verbessern und die Grafikleistung bei Multimedianwendungen erhöhen.
Außerdem benötigt die eDRAM-Technologie nur ein Drittel des Platzes und ein Fünftel der Standby-Energie von SRAMs.

Eine eDRAM-Zelle hat eine Fläche von 0,126 mm², benötigt 1 V Versorgungsspannung, nimmt eine Leistung von 76 mW auf und hat eine Latenzzeit von 1,5 ns.

Die neue Technologie soll bei IBMs 45-nm-Fertigung ab 2008 eingesetzt werden und wurde jetzt erstmals auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) vorgestellt.