Schnelle Bipolar Junction-Transistoren

<p>Eine besonders niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) zeichnet die gerade auf den Markt gekommenen Bipolar-Junction-Transistoren der BJT-Baureihe von On Semiconductor aus.

Eine besonders niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) zeichnet die gerade auf den Markt gekommenen Bipolar-Junction-Transistoren der BJT-Baureihe von On Semiconductor aus. Bei gleichwertiger RDS(on)-Leistung kann der Anwender damit die Teilekosten nach Angaben des Herstellers um bis zu 10 US-Cents senken.

So erübrigt sich beispielsweise durch die Bereitstellung einer niedrigen Einschaltspannung von weniger als 1 V möglicherweise der Einsatz der typischen Charge Pump in einer Schaltung. Aufgrund ihrer bi-direktionalen Fähigkeit, Ströme zu blockieren, ermöglichen die Bauteile auch den Verzicht auf Schutzdioden. Bei Auftragsmengen von 10.000 Transistoren liegen die Nettostückpreise zwischen 0,07 und 0,16 US-Cents.


On Semiconductor
Tel. (089) 930808-27
steve.sheard@onsemi.com