Samsung kündigt 2-Gbit-DDR2-DRAMs in 60 nm an

Verglichen mit 80-nm-2Gbit-DDR2-DRAMs wird die neue 60-nm-Baureihe mit einer Datenübertragungsrate von 800 Mbit/s den Durchsatz bei DRAMs um 20 Prozent steigern.

Auch die Produktivität soll mit der 60-nm-Prozess-Generation um 40 Prozent steigen. Außerdem lassen sich Speicher höherer Kapazität realisieren und gleichzeitig die Stromaufnahme der Module um 30 Prozent vermindern. Folglich entsteht weniger Abwärme, so dass die Wärmeabfuhr erleichtert wird und eine höhere Ausfallsicherheit gewährleistet ist.

Die neuen DRAMs sind für den Gebrauch in Servern, Workstations und Notebooks gedacht.

Samsung bietet vier Modulvarianten auf Basis der 2-Gbit-DDR2-DRAMs an:
- 8 Gbyte voll gepufferte, dual-inline Speichermodule (FBDIMM)
- 8 Gbyte registered, dual-inline Speichermodule (RDIMM)
- 4 Gbyte nicht gepufferte, dual-inline Speichermodule(UDIMM)
- 4 Gbyte small-outline, dual-inline Speichermodule (SODIMM).

Ende dieses Jahres soll die Massenproduktion beginnen. Samsung wird seine komplette DDR2-Produktreihe von 512 Mbit bis 2 Gbit in 60-nm-Prozesstechnik anbieten. Die 512-Mbit- und die 1-Gbit-Variante werden bereits in Vorserie produziert.

Laut einer Marktstudie von Gartner Dataquest wird der Markt für 2-Gbit-DRAMs auf 14 Milliarden Dollar bis zum Jahr 2011 anwachsen. Dies entspräche einem Marktanteil von 47 Prozent des gesamten DRAM-Segments.