Leistungselektronik Neue MOSFETs und Schottky-Dioden für die drahtlose Ladetechnik

Toshiba Electronics Europe (TEE) erweitert sein Angebot um Kleinsignal-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) und -MOSFETs mittlerer Leistungsfähigkeit, die für Anwendungen mit drahtlosem Energietransfer (Wireless Power) vorgesehen sind.

Zum Produktspektrum zählen Single und Dual n- und p-Kanal-MOSFETs sowie SBDs. Zu den neuen Bausteinen zählt ein MOSFET für das Schalten von Lasten in Umformern drahtloser Ladeeinrichtungen. Der 30V SSM6N55NU ist ein Dual-Channel-MOSFET in einem UDFN6-Gehäuse, das 2,0 mm x 2,0 mm x 0,75 mm misst. Ein Drain-Strom von 4 A und ein maximaler Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von 46 mΩ garantieren einen effizienten Betrieb. Der Baustein ist Teil einer umfangreichen MOSFET-Reihe.

Toshibas neueste Single und Dual SBDs sind für eine Sperrspannung von 30 V ausgelegt und bieten eine niedrige Durchlassspannung (UF) bis hinab auf 0,45 V. Das Spektrum kleiner Gehäuse reicht vom USC (SOD-323) mit 2,5 mm x 1,25 mm x 0,9 mm bis zum CST2B mit 1,2 mm x 0,8 mm x 0,6 mm.

Die neuen MOSFETs und Dioden können z.B. für Lastschaltzwecke, Niederspannungs-Gleichrichtung, Brückenschaltkreise und zum Schutz vor Rückströmen eingesetzt werden.