NAND-Flash-Speicher-IC in 50-nm-Technik

Samsung hat mit der Bemusterung eines 16-GBit-NAND-Flash-Speicher-ICs in 50-nm-Technik für Solid-State-Disk-Anwendungen begonnen. Laut Angaben von Samsung ist er das erste NAND-Flash-IC mit 50-nm-Strukturen.

Die ersten Muster des Speicherchips beruhen auf einem Multi-Level-Cell-Design (MLC) mit einer Page-Größe von 4 KByte. Verglichen mit dem herkömmlichen 2-KByte-Paging-System für MLC-NAND-Flash-Speicher, lässt sich mit dem 4-KByte-System laut Samsung die doppelte Lesegeschwindigkeit sowie eine um 150 Prozent höhere Schreibgeschwindigkeit erzielen.

Zugeschnitten ist der Baustein beispielsweise auf externe Speicherkarten für PCs und Mobiltelefone. Noch im ersten Quartal 2007 will Samsung mit der Massenproduktion des ICs beginnen.