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03. Dezember 2020,  8 Bilder

Toshiba 1200 V SiC MOSFET
© Toshiba
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Toshiba Electronics: 1200-V-SiC MOSFET TW070J120B

Der TW070J120B von Toshiba Electronics eignet sich für industrielle Hochleistungsanwendungen, er verfügt über eine niedrige Eingangskapazität (CISS) von 1680pF, eine niedrige Gate-Eingangsladung (Qg) von 67nC und einen Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von nur 70mΩ. Der neue 1200-V-SiC-Baustein ermöglicht Stromversorgungen mit höherem Wirkungsgrad, mit einer höheren Leistungsdichte kann er zu kleineren Baugrößen und zu einem geringeren Gewicht beitragen. Im Vergleich zu Silizium-IGBTs reduziert er die Ausschaltverluste um etwa 80 % und die Schaltzeit (Abfallzeit) um etwa 70%, während er bei einem Drainstrom (ID) bis zu 20 A eine niedrige Durchlass- (ON)-Spannungscharakteristik bietet. Die Gate-Schwellenspannung (Uth) ist hoch eingestellt (im Bereich von 4,2 bis 5,8V) und vermeidet unbeabsichtigtes oder unerwünschtes Ein-/Ausschalten. Die integrierte SiC-Schottky-Barrier-Diode (SBD) mit einer niedrigen Durchlassspannung (UDSF) von nur -1,35 V verringert Verluste und überbrückt die parasitäre pn-Diode, wodurch sich die Zuverlässigkeit des SiC-MOSFETs erhöht. Der neue MOSFET TW070J120B basiert auf der zweiten Generation von Toshibas SiC-Architektur  und kommt in einem TO-3P(N)-Gehäuse.