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Interview mit Christian André, Rohm

»SiC ist ein wildes Tier«

23. Januar 2020, 14:35 Uhr   |  Engelbert Hopf


Fortsetzung des Artikels von Teil 1 .

Strategie von Rohm

In den letzten Monaten hat Cree verschiedene Kooperationen mit Automobilherstellern, Tier-Ones und zuletzt ABB angekündigt. Verfolgt Rohm Semiconductor eine andere Strategie?

Der Rohm-Umsatz mit allen Halbleiterprodukten beträgt im Automobilbereich 37 Prozent. Wir arbeiten seit Jahren erfolgreich mit der Automobilindustrie zusammen. Dies wird nun im Bereich E-Mobilität fortgesetzt, wo SiC eine der Schlüsseltechnologien ist. Unser Vorteil ist, dass die Herstellung des Substrats in Europa stattfindet und wir den gesamten Herstellungsprozess aus einer Hand anbieten können.

Vor anderthalb Jahren haben Sie in Nürnberg die Zusammenarbeit mit GaN Systems bei der Entwicklung und Weiterentwicklung von Galliumnitrid angekündigt. GaN Systems hat auch eine Zusammenarbeit mit On Semiconductors angekündigt. Wie hat sich Ihrer Meinung nach die Zusammenarbeit mit GaN Systems bisher entwickelt?

Rohm und GaN Systems haben beschlossen, ihre Kräfte zu bündeln, um leistungsstarke Lösungen für den Energiemarkt zu entwickeln. Die branchenführenden Fähigkeiten von GaN Systems im Bereich der GaN-Leistungstransistoren sowie die umfassende Position von Rohm im Halbleiterbereich und die beträchtlichen Ressourcen bei der Entwicklung und Herstellung elektronischer Komponenten können in dieser Zusammenarbeit voll genutzt werden. Wir entwickeln gemeinsam form-, passgenaue und funktionskompatible Produkte unter Verwendung von GaN-Halbleiter-Dies sowohl in GaN Systems‘ GaNPX-Gehäuse als auch in Rohms traditionellem Leistungshalbleiter-Gehäuse. Wir sind stolz auf die Zusammenarbeit, die bereits große Fortschritte zeigt. Wir werden berichten, sobald weitere konkrete Ergebnisse vorliegen.

Welche Strategie verfolgen Sie in Zukunft im GaN-Bereich? Wann wird Rohm seine eigenen GaN-Leistungshalbleiter für 650 V auf den Markt bringen?

Durch die Zusammenarbeit mit GaN Systems hat sich Rohm den sofortigen Zugriff auf die robuste 650-V-GaN-Produktgruppe von GaN Systems gesichert. Diese GaN-Schalter werden bereits in Ladegeräten, USVs und Solarwechselrichtern eingesetzt. Gleichzeitig arbeiten wir intern an der Entwicklung von GaN-Schaltern für Spannungen unter 150 V. Wir setzen unsere Produktentwicklung fort, aber es gibt noch keinen Zeitplan für die Serienproduktion.

Im Bereich SiC wird derzeit ein Schwerpunkt auf die Elektromobilität gelegt. Wie wichtig ist Ihrer Meinung nach die E-Mobilität? Wann wird E-Mobilität Ihrer Meinung nach das Hauptanwendungsgebiet für SiC im Hinblick auf den Umsatz sein?

Die E-Mobilität spielt für die Leistungshalbleiter, insbesondere für SiC, eine große Rolle, da diese Technologie echte technische Vorteile bringt. Wir sehen, dass SiC-Leistungsbauelemente dazu beitragen, die Effizienz von automobilen Antriebssystemen zu verbessern. Die Einführung von SiC-Leistungsbauelementen für Schnellladesysteme wie On-Board-Ladegeräte oder schnelle Off-Board-DC-Ladegeräte nimmt zu. Der Vorteil ist, dass das Laden in kurzer Zeit möglich ist. Künftig muss die Ausweitung auf den Hauptwechselrichter der Schlüssel sein. Wenn SiC-Leistungsbauelemente für den Wechselrichter verwendet werden, verbessert sich der Wirkungsgrad des KFZ-Leistungssystems. Diese Entwicklung wird die Reichweite bei gleicher Batteriekapazität erhöhen. Umgekehrt ist es bei gleicher Reichweite möglich, die Gesamtkosten durch den Wegfall teurer Batteriewechsel zu senken. Der heutige Einsatz erfolgt im On-Board-Ladegerät, die Zielanwendung ist in der Tat der Wechselrichter, aber auch der DC/DC-Bereich, in dem der Großteil der Umsätze im Zeithorizont 2023/2025 realisiert werden soll.

SiCrystal beliefert ST
SiCrystal hat Mitte Januar einen Vertrag mit STMicroelectronics unterschrieben, der die langfristige Lieferung von 150-mm-SiC-Wafern im Gesamtwert von über 120 Millionen Dollar vorsieht. »Dieses weitere langfristige Lieferabkommen für SiC-Substrate ergänzt die bereits gesicherten externen und internen Kapazitäten«, freut sich Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics. »Wir werden ST beim Ausbau seines SiC-Geschäfts weiterhin unterstützen, indem wir die Wafer-Mengen kontinuierlich steigern und jederzeit zuverlässige Qualität liefern«, versichert Dr. Robert Eckstein, Präsident und CEO der zur Rohm-Gruppe gehörenden SiCrystal.

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