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CoolMOS mit nur 10 mΩ

Infineon Technologies, MOSFET, CoolMOS S7
Der CoolMOS S7A wurde in ein oberseitengekühltes QDPAK-SMD-Gehäuse eingepasst.
© Infineon Technologies

Um die Anforderungen für statische Schaltanwendungen zu erfüllen, hat Infineon seine 600-V-CoolMOS-Familie um zwei optimierte Bauteile mit einem Durchlasswiderstand von nur 10 mΩ für den industriellen und den automobilen Bereich erweitert.

In Anwendungen, bei denen MOSFETs mit niedriger Frequenz schalten, müssen leistungsfähige Designs einige Anforderungen erfüllen: Sie sollen Leistungsverluste minimieren, ein optimales thermisches Verhalten sowie kompaktere und leichtere Systeme ermöglichen – und das alles kostengünstig bei höchster Qualität.

Um diese Anforderungen zu erfüllen, hat Infineon seine 600-V-CoolMOS-Familie um zwei neue, für statische Schaltanwendungen optimierte Bauteile erweitert: den CoolMOS S7 für den industriellen und den CoolMOS S7A für den automobilen Bereich. Beide 600-V-MOSFETs bestechen durch einem RDS(on) von nur 10 mΩ und können ab sofort in einem bestellt werden.

Der CoolMOS S7 eignet sich damit besonders für Anwendungen, bei denen es auf minimale Leitungsverluste ankommt, beispielsweise bei handelsüblichen Solid-State-Relais (SSR). Der CoolMOS S7A dagegen richtet sich an die Anforderungen bei der Systemleistung von Solid-State-Schutzschaltern (SSCB) und Dioden-Parallelschaltungen bzw. -Ersatz für Hochleistungsdesigns in Automotive-Anwendungen. Hierzu gehören zum Beispiel Hochspannungs-eFUSE, Batterietrennschalter sowie Onboard-Ladegeräte.

Bei der Entwicklung der Produktfamilie optimierte Infineon die Technologieplattform CoolMOS 7 mit Blick auf die Anforderungen an ein Bauteil für statisches Schalten und Hochstromanwendungen. Beide Chips verfügen über den laut Hersteller niedrigsten RDS(on) auf dem Markt und das beste Produkt aus RDS(on) × Chipfläche × Kosten. Darüber hinaus wurden sie in ein oberseitengekühltes QDPAK-SMD-Gehäuse (Top-Side Cooled) eingepasst. Damit ist es als kleinere Alternative zu THD-Bauteilen wie TO-247 geeignet.

Darüber hinaus kann die Bauteilhöhe mit dem Wechsel von THD zu SMD mit QDPAK um 94 Prozent reduziert werden. Mit den geringen Leitungsverlusten des können Entwickler nach Aussage von Infineon die Größe von Kühlkörpern um bis zu 80 Prozent verkleinern und gleichzeitig die Strom- und Spannungswerte erweitern, ohne den Formfaktor zu verändern.

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