Leistungsdichte von Netzteilen erhöht

Zetex Semiconductors hat eine Reihe von npn- und pnp-Miniaturtransistoren zur Ansteuerung von MOSFETs in Netzteilen auf den Markt gebracht.

ZXTN und ZXTP sind die ersten Bipolartransistoren im SOT23FF-Gehäuse mit einer Anschlussfläche von 2,5 x 3 mm und einer Bestückungshöhe von nur 1 mm. Sie bieten eine geringe Sättigungsspannung sowie eine höhere Verweilzeit der Stromverstärkung, die zu einem verbesserten Schaltungswirkungsgrad und kühleren Betrieb führt.

Diese Bipolartransistoren decken einen Spannungsbereich von 20 V bis 100 V ab und können MOSFETs schneller und effizienter als CMOS-IC-Alternativen ansteuern. Sie sind gegen Latchup-Effekte unempfindlich und dank des SOT23FF-Gehäuses, welches Leiterbahninduktivität und Klingeleffekte minimiert, können sie dicht an MOSFETs angeordnet werden.

Die 20-V-Transistoren ZXTN19020CFF und ZXTP19020CFF haben eine garantierte Verstärkung von 100 bei 7 A bzw. 110 bei 5 A. Sie bieten Schaltvorgänge mit Ausbreitungszeiten unter 2 ns und Anstiegs- und Abfallzeiten zwischen 10 und 20 ns, wenn sie in einer Emitterkonfiguration angeschlossen sind. Mit einer Spitzenstromleistung von 15 A stellen sie eine kostengünstige Alternative zu festgeschalteten Gate-Treiber-ICs dar.

Weitere technische Produktdetails und Einzelheiten zu den Preisen für die Palette der Zetex-Bipolartransistoren mit SOT23FF-Gehäuse finden Sie hier.