Nach IRF die nächste Akquisition Infineon kauft Wolfspeed für 850 Mio. Dollar

Infineon plant den Erwerb von Wolfspeed Power and RF, einer Geschäftseinheit des US-amerikanischen Unternehmens Cree Inc. Der Kaufpreis beträgt 850 Mio. US-Dollar. Mit inbegriffen ist das zugehörige Wafergeschäft.

Damit wird Infineon zur Nummer 1 bei Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, geplant ist die Nr.1-Position ebenfalls bei Hochfrequenz-Leistungsbauelementen. Zielmärkte sind Elektromobilität, erneuerbare Energien und die Infrastruktur der nächsten Mobilfunkgeneration für das Internet der Dinge.

Die Übernahme wird sich sofort positiv auf Marge und bereinigtes Ergebnis je Aktie von Infineon auswirken, der Kauf wird über Bankkredite in Höhe von 720 Millionen US-Dollar sowie 130 Millionen US-Dollar aus eigenen Barmitteln finanziert.

Laut Dr. Reinhard Ploss, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG, ergänzen sich das Geschäft und Know-how von Wolfspeed und Infineon ergänzen sich in hohem Maße.

Wolfspeed hat seinen Hauptsitz in Research Triangle Park im US-Bundesstaat North Carolina und gehört seit fast 30 Jahren zu Cree. Wolfspeed ist einer der führenden Anbieter von Leistungshalbleitern auf der Basis von SiC und HF-Leistungsbauelementen auf der Basis von GaN-auf-SiC. Dazu gehört auch die Fertigung von Rohscheiben aus Siliziumkarbid und – für HF-Anwendungen – aus Siliziumkarbid mit einer einkristallinen GaN-Schicht, die Infineon bislang als Kunde von Cree eingekauft hatte. Mit diesen Kompetenzen, mehr als 550 hochqualifizierten Mitarbeitern sowie einem starken IP-Portfolio von circa 2.000 Patenten und Patentanmeldungen ist Wolfspeed laut Infineon eine ideale Ergänzung zur Akquisition von International Rectifier, die Anfang 2015 erfolgte.

Infineon adressiert damit den Trend zu Plug-In-Hybrid- und vollelektrischen Fahrzeugen in der Automobilbranche. Durch die Zusammenlegung der Portfolien und Kompetenzen wird die Markteinführung neuer Produkte auf Basis von Verbindungshalbleitern deutlich beschleunigt.

Die Infrastruktur für die kommenden Mobilfunkstandards wie 5G und darüber hinaus wird Frequenzen von bis zu 80 Gigahertz nutzen. Bei diesen hohen Frequenzen können nur modernste Verbindungshalbleiter die benötigte Ausgangsleistung bereitstellen. Verbindungshalbleiter auf der Basis von GaN-auf-Si bieten ein hohes Maß an Integration und ermöglichen Frequenzen von bis zu 10 Gigahertz. Halbleiter auf der Basis von GaN-auf-SiC ermöglichen Frequenzen von bis zu 80 Gigahertz. Beide Technologien sind entscheidend für die Weiterentwicklung der Infrastruktur für die kommenden Mobilfunkstandards. Zusammen mit den eigenen Silizium-basierten Halbleitern (LDMOS) wird Infineon zum Anbieter mit dem umfangreichsten Angebot an HF-Leistungsbauelementen.

Das gemeinsame Portfolio fördert Infineons strategischen Ansatz „Vom Produkt zum System“. Infineon wird außerdem die Einführung von SiC- und GaN-basierten Produkten in wichtigen Wachstumsmärkten beschleunigen, etwa Elektromobilität und Ladesysteme, leistungsstarke Fotovoltaik-Umrichter sowie HF-Leistungsbauelemente für Mobilfunk-Infrastruktur.

Die Geschäftsbereiche, die Infineon erwerben will, haben in den zwölf Monaten bis zum 27. März 2016 einen Pro-Forma-Umsatz von 173 Millionen US-Dollar erwirtschaftet.  Auch nach dieser Transaktion wird Infineon über eine solide Bilanz verfügen. Die Kapitalstruktur bleibt weiterhin innerhalb des bereits bekannten Rahmens: eine Liquidität von mindestens 1 Milliarde Euro sowie zusätzlich 10 bis 20 Prozent des Umsatzes, Bruttofinanzschulden von nicht mehr als dem Zweifachen des EBITDA.

Das Management von Cree („Board of Directors“) und der Aufsichtsrat von Infineon haben der Akquisition bereits zugestimmt. Der Abschluss der Transaktion (Closing) unterliegt der Genehmigung verschiedener Behörden und wird für Ende 2016 erwartet.