Chip-Fertigung Infineon fertigt erstmals Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Dünnwafer-Technologie

Infineon ist es am Standort Villach weltweit erstmals gelungen, Leistungshalbleiter auf einem 300-mm-Dünnwafer zu fertigen. Die Chips weisen das dasselbe Verhalten auf, wie ihre auf 200-mm-Wafer erstellten Pendants, das hätten erfolgreiche Tests mit Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt-Transistoren (MOSFETs) für Anwendungen mit hohen Spannungen bewiesen.

»Damit ist unseren Ingenieuren ein Quantensprung in der Fertigungs-Technologie gelungen«, ist Dr. Reinhard Ploss, Vorstand für Operations, Forschung und Entwicklung sowie Arbeitsdirektor von Infineon überzeugt. Infineon hatte im Oktober 2010 mit dem Aufbau einer Leistungshalbleiter-Pilotlinie für 300-mm-Wafer und Dünnwafer-Technologie im österreichischen Villach begonnen. Das Team umfasst heute 50 Ingenieure aus den Bereichen Forschung und Entwicklung, Fertigungstechnologie und Marketing.

Zum Einsatz kommen wird die Fertigungstechnologie in Dresden. Im Rahmen der Investitionsplanungen hatte Infineon Ende Juli angekündigt, Dresden als Hochvolumens-Standort für die Produktion der 300-Millimeter Leistungshalbleiter aufzubauen. Infineon investiert dafür zunächst bis zum Jahr 2014 rund 250 Millionen Euro und schafft circa 250 Arbeitsplätze in Dresden.