Fertigungstechnik für Nano-SOI-Substrate

Das franzöische Unternehmen MHS hat die Entwicklung einer neuen Fertigungstechnik für Nano-SOI-Substrate abgeschlossen.

Die SmartCut-Technologie, der aktuelle SOI-Standard, benutzt das CMP-Verfahren (chemisch-mechanisches Polieren), um die Dicke der durch Waferbonding erzeugten Substrate zu reduzieren. Uwe Stock, Business Development Manager von MHS Germany, erklärt aber, dass dieses Verfahren Spannungen und Defekte in den extrem dünnen Schichten (kleiner als 50 nm) erzeugt und damit die Qualität der Oberfläche und die Gleichmäßigkeit der Schichtdicken eingeschränkt sei.

MHS hingegen geht jetzt einen Weg, der laut Stock speziell für sehr dünne Schichten geeignet ist. Der MHS Prozess basiert auf einer patentierten Niedrig-Temperatur-Hetero-Epitaxie-Technik, mit der einzelne Atome abgeschieden werden, was zu einer hochkristallinen Schichtkonstruktion führt. Die Methode besteht aus einer gepulsten Plasmasputtering-Abscheidung unter Vakuum von einem ultrareinen Target auf das Substrat. Der gesamte Prozess wird in einem einzigen Gerät durchgeführt, das von MHS und Aprim Vide, die beide zur XBYBUS-Gruppe gehören, entwickelt wurde. Dieses Gerät ist kompatibel mit den Anforderungen für das Ultrahochvakuum.

Die Einfachheit des MHS-Prozesses resultiert in einer hohen Materialqualität und einer erwarteten hohen Zuverlässigkeit der Bauteile, die mit Hilfe dieser Substrate gefertigt werden. Zusätzlich ist der MHS-Prozess laut Stock sehr ökonomisch, da er weniger Energie (niedrige Temperaturen, unter 500 °C) und weniger Material (Silizium Target und Gas) benötigt wird. Eine eingeschränkte Anzahl von Mustern des Nano-SOI-Substrates sollen im ersten Quartal 2007 für erste Materialcharakterisierungen zur Verfügung stehen.