Neue Materialien Bedeutung von SiC & GaN soll deutlich zunehmen

Bauteile auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sollen bessere Eigenschaften als ihre Pendants aus Silizium haben, sind allerdings noch nicht weit verbreitet. Die Marktforscher von IMS Research geben nun eine Prognose ab.

Derzeit wird der Markt für Siliziumkarbid von den Schottky-Dioden getrieben. Das überrascht nicht, denn IMS Research zufolge waren die einzigen Leistungselektronik-Bauteile aus Siliziumkarbid (SiC), die es 2009 zu kaufen gab, Schottky-Dioden und JFETs (Sperrschicht-Feldeffekttransistoren).

Im neuen Jahr soll sich das nun ändern. So will Cree in diesem Jahr mit einem MOSFET ein neues Bauelement auf SiC-Basis einführen. Außerdem sollen weitere Schottky-Dioden auf GaN-Basis von mehreren Herstellern dazukommen.

Bis 2013 soll der GaN- und SiC-Markt auf ein Volumen von 160 Millionen Dollar anwachsen. Derzeit sind es rund 20 Millionen Dollar. Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid sollen dabei etwa ein Drittel des Marktes ausmachen. Schwerpunkt werden Bauteile zur Leistungsfaktor-Korrektur (PFC) sein.

Mehr zu dem Thema hat IMS Research in der Studie »The World Market for SiC & GaN Power Semiconductors – 2010« veröffentlicht.