Auf dem Weg zum 1000-GBit-NAND-Speicher

Neue Techniken für die Speicher der nächsten Generation bildeten einen Schwerpunkt der diesjährigen IEDM in San Francisco. NAND-Speicher mit einer Kapazität von 1 TBit rücken in greifbare Nähe.

In die dritte Dimension drang auf dem »International Electronic Device Meeting« Soon-Moon Jung von Samsung Electronics vor. Er stapelt NAND-Zellen übereinander. Der weltweit erste Stacked-NAND auf Basis der TANOS-Struktur mit Strukturen von 63 nm eröffne glänzende Aussichten: »Wenn wir acht Schichten übereinander stapeln, können wir einen 1-TBit-NAND-Speicher auf Basis der bekannten ArF-Lithografie fertigen«, sagte Jung.

Ein dreidimensionales Konzept für NAND-Speicher auf Basis der SONOS-Struktur hat auch Erh-Kun Lai von Macronix vorgestellt. Dabei handelt es sich um eine aus zwei Schichten aufgebaute NAND-Zelle mit Thin-Film-Transistoren. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass kommerzielle Speicher auf Basis dieser Technik realisiert werden können.

Einen ausführlichen Bericht über die IDEM in San Francisco lesen Sie in der »Markt&Technik«-Ausgabe 51/52 vom 20. Dezember 2006.