200-V-DirectFET-MOSFET

<p>International Rectifier bringt mit dem IRF6641TRPbF einen Power-MOSFET auf den Markt, der in Verbindung mit IRs DirectFET-Packaging-Technologie und IRs 200-V-HEXFET-MOSFET-Siliziumtechnologie einen Wirkungsgrad von 95 Prozent erreicht.

International Rectifier bringt mit dem IRF6641TRPbF einen Power-MOSFET auf den Markt, der in Verbindung mit IRs DirectFET-Packaging-Technologie und IRs 200-V-HEXFET-MOSFET-Siliziumtechnologie einen Wirkungsgrad von 95 Prozent erreicht. Die Bausteine arbeiten mit Eingangsspannungen von 36 bis 75 V.

Der 200-V-DirectFET-MOSFET erzielt einen Nennstrom bis 25 A auf einer Montagefläche in SO8-Größe und einer Bauhöhe von 0,7 mm. Der RDS(on) beträgt 51 mOhm (Vgs = 10 V). Der Baustein hat einen gängigen MZ-Footprint und ermöglicht damit einen einfachen Migrationspfad zu anderen DirectFET-MOSFETs mit mittlerer Spannung.


International Rectifier
Tel. (06102) 884-310