1,2 V Feldeffekttransistor von Vishay

Vishay Intertechnology Inc. kündigt ersten Feldeffekttransistor an, der mit einer Betriebsspannung von 1,2 V (Gate-to-Source) arbeitet.

Mit ihm lassen sich Power- Management- Schaltungen vereinfachen und zugleich die Lebensdauer von Batterien in portablen Geräten verlängern.

Der neue Feldeffekttransistor-Baustein wandelt die 1,2V -Startspannung in 1,3 V- Betriebsspannung für digitale ICs, die in mobilen Elektronikgeräten zum Einsatz kommen. Er kann als einer der ersten in 1,2 V- Bussystemen betrieben werden, wodurch Systeme, mit einer Grundspannung kleiner 1,8 V nicht mehr konvertiert werden müssen.

Die neu erschienenen Bauteile (und deren Packstücktypen) sind die n-channels SiA414DJ (PowerPAK SC-70), Si8424DB (MICRO FOOT) und SiB414DK (PowerPAK SC-75), sowie die p-channels SiA417DJ (PowerPAK SC-70), Si8429DB (MICRO FOOT) und SiB417DK (PowerPAK SC-75).
Der vorab erschienene p-channel Si1499DH im SC-70- Paket komplettiert Vishay’s Angebot an 1,2 V- Power-Feldeffekttransistoren in MOS- Technik.
Die Gehäusedimensionen der Bausteine betragen 1,5 mm x 1,5 mm.

Muster und Produktmengen für alle sieben 1,2 V- Bausteine sind ab sofort erhältlich. Die Preise beginnen bei 0,15 US-Dollar pro Stück bei einer Bestellmenge ab 100000 Stück.