Rohm Semiconductor SiC-MOSFETs im vierpoligen TO-247-4L-Gehäuse

Rohm präsentiert neue SiC-MOSFETs im 4-Pin TO-247-4L-Gehäuse.
Rohm präsentiert neue SiC-MOSFETs im 4-Pin TO-247-4L-Gehäuse.

Zur SCT3xxx xR-Serie von Rohm gehören nun sechs neue SiC-MOSFETs mit Trench-Gate-Struktur. Durch ihr vierpoliges TO-247-4L-Gehäuse wird die Schaltleistung maximiert und die Schaltverluste reduziert.

Die SCT3xxx xR-Serie von Rohm Semiconductor besteht aus sechs Modellen, die eine Nennspannung von entweder 650 V oder 1200 V aufweisen. Die drei 650-V-Version bieten bei 25 °C RDS(on)-Widerstände von 30, 60 oder 80 mΩ, Nennströme von 70, 39 oder 30 A sowie maximale Verlustleistungen PD von 262, 165 oder 134 W. Die 1200-V-Varianten verfügen über RDS(on)-Widerstände von 40, 80, oder 105 mΩ, Nennströme von 55, 31 oder 24 A sowie maximale Verlustleistungen PD von 262, 165 oder 134 W. Die Bauelemente arbeiten im Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

Schaltverluste werden durch das vierpolige TO-247-4L-Gehäuse um bis zu 35 Prozent reduziert. Aus diesem Grund sind die SiC-MOSFETs für den Einsatz in Hochleistungsanwendungen wie Server, USV-Anwendungen und der Solarstromerzeugung geeignet. Geeignet sind sie außerdem für Server-Netzteile, USV-Anwendungen, Solarwechselrichter, Energie-speichersysteme und Ladestationen für Elektrofahrzeuge, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Die SCT3xxx xR-Serie besteht aus SiC-MOSFETs mit Trench-Gate-Struktur. Es werden sechs Modelle angeboten, die eine Durchbruchspannung von entweder 650 V (drei Produkte ) oder 1200 V (drei Varianten) aufweisen.