Cree Neues Design-Kit für 1200-V-MOSFETs

Das Design Kit CRC von Cree.
Das Design Kit CRC von Cree.

Ein neues Design-Kit für 1200-v-MOSFETs präsentiert Cree. Das Kit CRC280 enthält alle Bauelemente zum Evaluieren der Leistungsfähigkeit von MOSFETs und Schottky-Dioden in einer konfigurierbaren Halbbrückenschaltung.

Das Design-Kit CRC280 von Cree ermöglicht Vergleichstest zwischen IGBTs und MOSFETs des Unternehmens. Es soll Ingenieuren helfen, die kaum Erfahrung mit den höheren Schaltgeschwindigkeiten von SiC-Bauelementen haben und soll einen einfachen Zugang zu wichtigen Prüfpunkten, z.B. wie sich UGS, UDS und IDS messen lassen.

Das Kit kann für verschiedenen Auf- und Abwärtswandler-Topologien konfiguriert werden. Werden zwei bzw. drei Kits kombiniert, lassen sich zudem Halbbrücken- und Drei-Phasen-Konfigurationen bauen und analysieren.

Neben zwei MOSFET (1200 V/ 80 mOhm), zwei Schottky-Dioden (1200 V/20 A) im TO-247-Gehäuse enthält das Design-Kit ein als Halbbrücke konfiguriertes Design-Board mit isolierten Gate-Treibern, Stromversorgung und weiteren Bauteilen, die zum Aufbau einer Leistungsstufe benötig werden. Schaltplan und das Layout eines Gate-Treibers für Cree-MOSFETs im TO-247-Gehäuse sowie ein Anwenderhandbuch mit Blockschaltbildern und Spezifikationen zählen zum Lieferumfang.