SiC-basierte Stromrichter besser testen: Neue Evaluierungsplattform soll Energieeffizienz erhöhen

Die neue Plattform sorgt für eine verbesserte Energieeffizienz für Rechenzentren, Hybridfahrzeuge und in der Industrie.
Die neue Plattform soll für eine verbesserte Energieeffizienz für Rechenzentren, Hybridfahrzeuge und in der Industrie ermöglichen.

Für eine hohe Energieeffizienz von industriellen Stromversorgungen, Lade- und Basisstationen, Rechenzentrumsserver oder auch Solar- und Windkraft-Wechselrichtern müssen Entwickler genau verstehen, wie sich Siliziumkarbid-Technologien unter Dauerbetriebsbedingungen in Umrichter-Anwendungen verhalten.

Die neue Gate Drive Evaluation Platform (GDEV) von Littlefuse soll Entwickler vor allem bei der Evaluierung von SiC-MOSFETs, SiC-Schottky-Dioden und anderen peripheren Komponenten wie Gate-Treiber-Schaltungen unterstützen. Die GDEV-Plattform ermöglicht mit Schnellanschluss-Stiftleisten einen schnellen und konsistenten Vergleich verschiedener Gate-Treiber-Schaltungen. Die Zwischenkreis-Eingangsspannung kann bis zu 800 V betragen, die Schaltfrequenz bis zu 200 kHz.

»SiC ist für viele Entwickler noch relativ und kann damit einige Unbekannte rund um die Betriebseigenschaften unter verschiedenen Bedingungen bereithalten«, sagt Corey Deyalsingh von Littelfuse. »Mit dieser Evaluierungsplattform lassen sich die Betriebseigenschaften von SiC-Geräten besser verstehen und Konstrukteure erhalten zuverlässigere Informationen über die Möglichkeiten der SiC-Technologien für höhere Energieeffizienz.«

Laut Deyalsingh können Nutzer mit der GDEV-Platform LF-SIC-EVB-GDEV1 unter anderem den kontinuierlichen Betrieb von SiC-Leistungs-MOSFETs und -Dioden unter Nennspannung und Nennstrom untersuchen. Auf Systemebene können die Auswirkungen analysieren werden, welche mit SiC-basierten Designs verbunden sind – einschließlich der Effizienzsteigerung, EMI-Emissionen und der passiven Komponenten wie Größe, Gewicht und Kosten. Außerdem kann die Leistung verschiedener Gate-Treiber-Lösungen unter klar definierten und optimierten Testbedingungen verglichen sowie Gate-Treiber-Schaltungen unter Dauerbetriebsbedingungen getestet werden, um die thermische Leistung des Gate-Treibers und die EMI-Festigkeit zu bewerten.