Gefertigt wurde der Baustein mit IRs Gen7 Dünnwafer-Trench-Technologie, durch den laut unternehmen geringste Leitungs- und Schaltverluste und ein höherer Systemwirkungsgrad geboten wird. Zu den Eigenschaften zählen: I(NOM) = 20A; UCE(ON) = 2,0V; RθJC = 0,75°C/W.
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