International Rectifier 1.400-V-IGBT für Induktionserwärmung

Einen robusten und schnellen 1.400-V-IGBT bringt International Rectifier auf den Markt. Der IRG7PK35UD1PbF wurde zusammen mit einer Diode mit niedgriger Durchlassspannung in einem Gehäuse untergebracht.

Gefertigt wurde der Baustein mit IRs Gen7 Dünnwafer-Trench-Technologie, durch den laut unternehmen geringste Leitungs- und Schaltverluste und ein höherer Systemwirkungsgrad geboten wird. Zu den Eigenschaften zählen: I(NOM) = 20A; UCE(ON) = 2,0V; RθJC = 0,75°C/W.