Marktanalyse LED-Technik lässt Halbleiterausrüster wachsen

Silizium-Substrate dominieren zwar den Halbleitermarkt mit großem Abstand, Wachstumstreiber sind laut Marktanalysten aber LED-Hersteller mit ihren GaN-Chips.
Silizium-Substrate dominieren zwar den Halbleitermarkt mit großem Abstand, Wachstumstreiber sind laut Marktanalysten aber LED-Hersteller mit ihren GaN-Chips.

Der Markt für Epitaxie-Fertigungsausrüstung wird in den nächsten Jahren massiv wachsen, berichten Marktanalysten von Yole Développement. Als Markttreiber sehen sie LEDs und Leistungshalbleiter.

Bis 2025 soll der Markt für Epitaxie-Fertigungsausrüstung von rund 940 Millionen US-Dollar im Jahr 2019 auf über 6 Milliarden US-Dollar wachsen. So lautet die Prognose im Marktbericht von Yole Développement, der im Januar veröffentlicht wurde. Mit 80 Prozent Marktanteil dominieren zwar Siliziumwafer die Halbleiterindustrie, alternative Substrate wie GaAs, GaN, SiC und InP seien aber im Kommen.

Die größte Gruppe hinter Silizum sind GaN-Substrate, die hauptsächlich von den LED-Chipherstellern genutzt werden. »Aktuell wird der Markt für Epitaxieanlagen hauptsächlich von LEDs und Leistungshalbleitern getrieben«, fasst der auf Halbleiterfertigung spezialisierte Marktanalyst Amandine Pizzagalli zusammen.

Größere Neuanschaffungen erwartet

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Weltweiter Bedarf der Halbleiterausrüster

Prognose bis 2025.

Er und seine Kollegen erwarten, dass mit der Entwicklung von Mini- und Mikro-LEDs und der zunehmenden Spezialisierung der LED-Hersteller auf Laserdioden und Kantenemitter (VCSEL) neue Investitionen in Halbleiterausrüstung erfolgen. Die Gründe seien die steigende Nachfrage für Laserdioden, die mittlerweile für den Massenmarkt produziert werden sowie steigende Anforderungen an die Halbleiterfertigung: Für die Fertigung von Mikro-LEDs streben Hersteller Epitaxieanlagen mit einer Defektrate von rund 0,1 Defekten pro Qudratzentimeter (Defekte > 1mm) an. Ein Wert, den übliche Bestandsanlagen nicht erreichen. Möglich sei auch ein kompletter Umschwung von den weit verbreiteten MOCVD-Anlagen (metallorganische chemischen Gasphasenabscheidung) auf Molekularstrahlepitaxie (MBE).

Unsicherheitsfaktor China

Der Markt für Allgemeinbeleuchtung ist laut Yole Développement für Halbleiterausrüster keine lukrative Einnahmequelle mehr. In China übersteige die Fertigungskapazität für GaN-LEDs mittlerweile die Nachfrage, sodass sich Investitionen in MOCVD-Ausrüstung nicht mehr aus dem prognostizierten Bedarf für Wafer ableiten lassen. Daher seien solide Prognosen innerhalb der nächsten Jahre nicht möglich. Hinzu komme das nicht vorhersagbare Verhalten der chinesischen Regierung. Würde den großen LED-Herstellern des Landes auf staatliche Anordnung die Produktion von GaN-Chips untersagt, könne sich die Situation laut Pizzagalli auch in kurzer Zeit wieder umkehren.