HF & Mikrowellen NXP eröffnet HF-Design-Zentrum in den USA

Mit der Errichtung eines neuen Design-Zentrums in den USA will der holländische Halbleiter-Hersteller seine Position im wachsenden Markt "RF & Microwaves" ausbauen und die Kundenbeziehungen vor Ort stärken. Die neue NXP-Einrichtung in Billeceria (Mass.) in der Nähe von Boston wird sich auf das Design von HF- und Mikrowellen-ICs für anspruchsvolle Anwendungen konzentrieren.

Das Design-Zentrum an der amerikanischen Ostküste wird eng zusammenarbeiten mit den bestehenden NXP-Einrichtungen om Frankreich und den Niederlanden. Zu den aussichtsreichen Anwendungen der Bausteine im Bereich HF- und Mikrowellen zählt das Unternehmen die militärische Systeme, die Sparten Luft- und Raumfahrt, Industrie, Wissenschaft und Medizin sowie Satelliten-Empfänger und Breitband-Kommunikation.

NXP kann auf eigene Verfahren für die Herstellung von HF-ICs zurückgreifen, dazu zählen u.a. ein LDMOS-Prozess (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) für HF-Leistungstransistoren und ein BiCMOS-Prozess auf SiGe für die Realisierung von HF/ZF-MMICs (Monolthic Microwave Integrated Circuits). Darüber hinaus ist etwa ein weiterentwickelter CMOS-Prozess verfügbar für schnelle A/D-Umsetzer in der HF-Eingangsstufe.