Siliziumkarbid-Wafer STMicroelectronics schließt Liefervertrag mit SiCrystal

Der Bedarf an SiC-Bauelementen im Automobil- und Industriesektor steigt. STMicroelectronics sichert den Bestand in einem mehrjährigen Vertrag mit SiCrystal.

Die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern steigt. Deshalb gaben SiCrystal, ein Unternehmen der Rohm Group, und STMicroelectronics heute die Unterzeichnung einer mehrjährigen Liefervereinbarung für Siliziumkarbid- (SiC) Wafer bekannt. Das Abkommen im Umfang von über 120 Millionen Dollar regelt die Lieferung moderner 150-mm-Siliziumkarbid-Wafer von SiCrystal an STMicroelectronics.

Der Einsatz von Stromversorgungslösungen mit SiC-Bauelementen beschleunigt sich sowohl im Automobil- als auch im Industriebereich, so die Meldung. Mit dem Distributionsvertrag wollen beide Unternehmen zur weiteren Verbreitung von SiC in diesen Märkten beitragen. »Dieses weitere langfristige Lieferabkommen für SiC-Substrate ergänzt die bereits gesicherten externen und internen Kapazitäten, die wir aufbauen«, kommentiert Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics. »ST kann somit das Volumen und die Auslastung der Wafer erhöhen, die benötigt werden, um in den nächsten Jahren die hohe Nachfrage von Kunden für Automobil- und Industrieprogramme zu befriedigen.«