STMicroelectronics SiP-Vollbrückentreiber für 600 V und 3,5 A

Die im PWD5F60 integrierten N-Kanal-MOSFETs weisen einen Einschaltwiderstand von 1,38 Ω auf.
Die im PWD5F60 integrierten N-Kanal-MOSFETs weisen einen Einschaltwiderstand von 1,38 Ω auf.

Der PWD5F60 von STMicroelectronics ist das zweite Produkt einer neuen Serie von Leistungstreiber-SiPs (Systems-in-Package) für bürstenbehaftete Hochspannungs-Gleichstrommotoren und einphasige bürstenlose Motoren.

Der Baustein kombiniert eine für 600 V und 3,5 A ausgelegte Einphasen-MOSFET-Brücke sowie Gate-Treiber, Bootstrap-Dioden, Schutzfunktionen und zwei Komparatoren in einem 15 mm x 7 mm messenden Gehäuse.

Für Flexibilität sorgen die zwei integrierten, frei verfügbaren Komparatoren, mit denen sich eine Scheitelstromregelung sowie Überstrom- und Übertemperatur-Schutzschaltungen realisieren lassen. Die Scheitelstromregelung kann in Verbindung mit Halleffekt-Sensoren als Positionsgeber genutzt werden, um einen eigenständigen Controller zu implementieren, der ohne Mikrocontroller auskommt.

Zu den weiteren Funktionen gehören die einstellbare Totzeit und die Möglichkeit, die MOSFETs wahlweise als Vollbrücke oder als zwei Halbbrücken zu konfigurieren. Mit ihrem Einschaltwiderstand von 1,38 Ω sorgen die N-Kanal-MOSFETs des PWD5F60 für einen hohen Wirkungsgrad in Verbindung mit mittelhohen Lasten. Die Gate-Treiber sind dabei für zuverlässiges Schalten und geringe elektromagnetische Störungen optimiert, während die Bootstrap-Dioden ein Anlaufen an hoher Spannung erlauben, ohne dass externe Dioden oder passive Bauelemente zur Versorgung der high-seitigen Eingänge benötigt werden.

Der Betriebsspannungsbereich des Leistungstreiber-SiPs erstreckt sich von 10 bis 20 V. Die Eingänge sind kompatibel zu Ansteuersignalen von 3,3 V bis 15 V, um den Anschluss von Hall-Sensoren, eines Host-Mikrocontrollers oder eines DSP zu erleichtern.

STMicroelectronics informiert über den PWD5F60 auf der Electronica 2018 in Halle C3, Stand 101.