Globalfoundries SiGe auf 300-mm-Wafern

Wafer in der Halbleiterproduktion
Wafer in der Halbleiterproduktion

Seine fortschrittlichste SiGe-Fertigungstechnik hat Globalfoundries jetzt auf eine 300-mm-Fertigungslinie übertragen. Darauf sollen Schaltkreise für Terabit-Kommunikations- und Radar-Anwendungen produziert werden.

Der fortschrittliche Silizium-Germanium-Halbleiterprozess, 9HP, von Globalfoundries (GF) ist ab sofort für das Prototyping auf 300-mm-Wafern verfügbar. Der Schritt auf 300-mm-Wafer erfolgt aufgrund der hohen Nachfrage für ICs für Rechenzentrums- und Hochgeschwindigkeitsanwendungen, die die Vorteile einer 300-mm-Fertigung nutzen können. Durch die Nutzung des 300-mm-Fertigungs-Know-hows von Globalfoundries können Kunden die Vorteile einer höheren Produktionseffizienz und Reproduzierbarkeit für Hochgeschwindigkeitsanwendungen wie optische Netzwerke, drahtlose 5G-Millimeterwellen-Kommunikation und Automobilradar nutzen.

GF ist Branchenführer bei der Herstellung von Hochleistungs-SiGe-Lösungen auf seiner 200-mm-Produktionslinie in Burlington, Vermont. Die Migration von 9HP, einem 90 nm SiGe-Prozess, auf 300-mm-Wafer, der in Fab 10, am GF-Standort in East Fishkill, N.Y., angewendet wird, setzt diese Führungsrolle fort.

»Die zunehmende Komplexität und die steigenden Leistungsanforderungen von Kommunikationssystemen mit hoher Bandbreite haben den Bedarf an leistungsfähigeren Siliziumlösungen geweckt«, sagte Christine Dunbar, Vice President of RF Business Unit bei GF. »GF's 9HP wurde speziell für herausragende Leistungen entwickelt und wird in der 300-mm-Fertigung die Anforderungen unserer Kunden an drahtgebundene und drahtlose Hochgeschwindigkeitskomponenten erfüllen, die die zukünftige Datenkommunikation prägen werden.«

Mit dem SiGe-Prozess 9HP erweitert GF seine Palette von SiGe BiCMOS-Technologien, die das massive Wachstum extrem hoher Datenraten bei Mikrowellen- und Millimeterwellenfrequenzen für die nächste Generation von drahtlosen Netzwerken und Kommunikationsinfrastrukturen wie optische Netzwerke auf Terabit-Ebene, 5G mmWellen- und Satellitenkommunikation (SATCOM) sowie Instrumenten- und Verteidigungssysteme unterstützen. Die Technologie bietet eine überlegene Niederstrom-/Hochfrequenzleistung mit verbesserter HBT-Leistung (Heterojunction Bipolar Transistor) und einer bis zu 35-prozentigen Erhöhung der maximalen Frequenz auf 370 GHz im Vergleich zu ihren Vorgängern SiGe 8XP und 8HP.

Das Prototyping von 9HP auf 300 mm in Fab 10 in East Fishkill, N.Y. läuft derzeit auf Multiprojekt-Wafern (MPW). Qualifizierte Prozess- und Designkits sind für das zweite Quartal 2019 geplant.