JFET SiC-JFET mit horizontalem Kanal

Ein SiC-JFET mit horizontalem Kanal hat Infineon im Portfolio: Die selbstleitenden CoolSiC-JFETs haben eine monolithische Body-Diode integriert.
Ein SiC-JFET mit horizontalem Kanal hat Infineon im Portfolio: Die selbstleitenden CoolSiC-JFETs haben eine monolithische Body-Diode integriert.

Ein SiC-JFET mit horizontalem Kanal hat Infineon im Portfolio: Die selbstleitenden CoolSiC-JFETs haben eine monolithische Body-Diode integriert; das Schaltverhalten entspricht dem einer externen SiC-Schottky-Diode.

Die 1.200-V-JFETs sind entweder im TO247-Gehäuse oder als Bare Die erhältlich. Um die SiC-Bausteine sicher hochzufahren und schnell und kontrolliert zu schalten, hat Infineon das Konzept der „Direct Drive“-Technologie entwickelt. Dabei wird der JFET mit einem externen Niederspannungs-MOSFET und einem speziellen Treiber-IC kombiniert.