Leistungshalbleiter SiC gräbt weiter im Silizium-Becken

Mit den neuen Leistungsbauteilen sollen Applikationen erschlossen werden, die bisher mit Silizium bedient wurden.
Mit den neuen Leistungsbauteilen sollen Applikationen erschlossen werden, die bisher mit Silizium bedient wurden.

Mit einem neuen 62 mm-Siliziumkarbid-Modul will Infineon Anwendungen im mittleren Leistungsbereich ab 250 kW für SiC erschließen, wo Silizium-IGBTs an die Grenzen der Leistungsdichte stoßen.

Im Vergleich zu einem 62-mm-IGBT-Modul umfasst die Liste der Anwendungen damit jetzt auch Photovoltaik, Server, Energiespeicher, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Traktion, kommerzielles Induktionskochen und Systeme für die Energieumwandlung.

Das neue 62-mm-Modul ist mit den CoolSiC-MOSFETs von Infineon ausgestattet und ermöglicht eine hohe Stromdichte. Sehr niedrige Schalt- und Durchlassverluste minimieren damit den Kühlungsaufwand. Bei hohen Schaltfrequenzen kann die Größe der magnetischen Komponenten reduziert werden. Durch den Einsatz der CoolSiC-Chip-Technologie ergibt sich laut Infineon die Möglichkeit, Umrichterdesigns kleiner zu designen, insgesamt sollen die Systemkosten reduziert werden.

Nach Angaben des Halbleiterherstellers zeichnet sich das Gehäuse mit Bodenplatte und Schraubanschlüssen durch ein sehr robustes mechanisches Design aus, für höchste Systemverfügbarkeit sowie ein Minimum an Servicekosten und Ausfallzeiten. Die Zuverlässigkeit wird durch eine hohe thermische Zyklenfestigkeit und eine Dauerbetriebstemperatur (T vjop) von 150 °C ermöglicht. Der symmetrische innere Aufbau des Gehäuses erlaubt gleiche Schaltverhältnisse beim oberen und unteren Schalter. Optional kann die thermische Leistung des Moduls mit vorappliziertem Thermal-Interface-Material (TIM) noch weiter verbessert werden.