Neues Produktionsgebäude geplant Rohm steigert SiC-Produktionskapazität

Bild 5. Voll-SiC-Modul basierend auf Rohms Trench-Technologie.
Voll-SiC-Modul basierend auf Rohms Trench-Technologie.

Rohm plant in seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo ein neues Produktionsgebäude. Die größere Produktionskapazität soll den steigenden Bedarf an SiC-Leistungshalbleitern decken.

Um einen möglichst hohen Marktanteil bei SiC-Wafern und -Bausteinen zu erreichen, unternimmt Rohm hohe Anstrengungen. Zum einen soll die Produktionseffizienz verbessert werden, indem die Wafer-Größe weiter gesteigert wird und aktuelles Equipment eingesetzt wird.

Zum anderen sind dazu neue Produktionsflächen erforderlich. Durch das neue dreistöckige Gebäude im Apollo-Werk vergrößert das Unternehmen seine Produktionsfläche um etwa 11.000 m². Die detaillierte Planung ist gerade angelaufen. Der Bau soll im Februar 2019 beginnen und Ende 2020 abgeschlossen sein.

Der SiC-Markt weltweit

Prognosen gehen davon aus, dass der weltweite SiC-Markt bis 2021 die 1-Milliarde-Dollar-Marke überschreiten wird. Den größten Anteil nehmen Anwendungen in der Energieversorgung ein, wie zum Beispiel Spannungsstabilisatoren, Ladestationen für elektrische Fahrzeuge und das Stromnetz. Doch auch die Hauptwechselrichter für elektrische Fahrzeuge stellen einen bedeutendes Marktpotenzial für SiC-Halbleiter dar.

Rohm will auf diesem wachsenden Markt eine wichtige Stellung einnehmen und sieht sich dafür gut aufgestellt. Denn das Unternehmen deckt den gesamten Herstellungsprozess von den SiC-Wafern über die Halbleiterbausteine bis hin zum Packaging selbst ab.