HF-Leistungs-MOSFETs Robuste MOSFETs für HF-Leistungsverstärker

Leistungs-MOSFETs für industrielle HF-Leistungsverstärker
Leistungs-MOSFETs für industrielle HF-Leistungsverstärker

Für den Einsatz in HF-Leistungsverstärkern für industrielle Anwendungen und in der Medizintechnik hat Ampleon ein neues LDMOS-Transistorenpaar entwickelt. Mit ihm lassen sich Wirkungsgrade von bis zu 72,5 % erreichen.

Der aus zwei Leistungs-MOSFETs bestehende BLF0910H9LS750P von Ampleon ist für den Betrieb in Leistungsverstärkern mit Frequenzen von 902 MHz bis 928 MHz konzipiert. Die Leistungs-MOSFETs mit gemeinsamem Source-Anschluss sind für den Betrieb an 50 V ausgelegt und eignen sich für den Einsatz in industriellen, wissenschaftlichen und medizinischen Systemen sowie für professionelle Kochherde.

Im kontinuierlichen Betrieb (CW – Continuous Wave) mit 915 MHz lassen sich mit den beiden Leistungs-MOSFETs Ausgangsleistungen bis zu 750 W in einer Klasse-AB-Stufe erzeugen. Dann wird ein Wirkungsgrad von 72,5 % erreicht. Bei einem breiteren Frequenzband – 902 MHz bis 928 MHz – sind 800 W möglich, mit 69 % Wirkungsgrad, und im gepulsten Betrieb kann das Leistung-MOSFET-Paar sogar 850 W HF-Leistung erzeugen, mit 70 % Wirkungsgrad.

Durch seine robuste Bauart hält der BLF0910H9LS750P einer lastseitigen Fehlanpassung stand, die einem Stehwellenverhältnis (VSWR – Voltage Standing Wave Ratio) von 10:1 entspricht – und zwar über alle Phasen hinweg. Damit lassen sich Verstärkerstufen vereinfachen und weniger komplexe Schaltungen verwenden. Eine weitere Erleichterung beim Schaltungsentwurf ermöglichen die vor-abgestimmten Eingänge der MOSFETs.

Das MOSFET-Paar BLF0910H9LS750P basiert auf dem Gen9HV-50V-Prozess von Ampleon, ein ausgereifter Fertigungsprozess der ein hohes Maß an Produktkonstanz gewährleistet.