Basierend auf U-MOS-IX-H-Trench-Prozess Neue 40- und 60-V-n-Kanal-MOSFETs von Toshiba

Die neuesten 40-V- und 60-V-Leistungs-MOSFETs von Toshiba werden im U-MOS-IX-H-Trench-Halbleiterprozess des Unternehmens gefertigt werden.

Die n-Kanal MOSFETs TK3R1P04PL, TK4R4P06PL und TK6R7P06PL unterstützen 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung. Die im DPAK-Gehäuse untergebrachten MOSFETs von Toshiba eignen sich beispielsweise für den Einsatz in AC/DC- und DC/DC-Wandlern, Schaltnetzteilen und Motorantrieben.

Beim TK3R1P04PL handelt es sich um einen 40-V-MOSFET mit einem maximalen Durchlasswiderstand von 3,1 mΩ bei 10 V Gate-Spannung. Der Drain-Strom beträgt maximal 58 A.

Die 60-V-MOSFETs TK4R4P06PL und TK6R7P06PL haben einen maximalen Durchlasswiderstand von 4,4 mΩ bzw. 6,7 mΩ bei 10 V Gate-Spannung. Der maximale Drainstrom beträgt 58 A bzw. 46 A. Alle angegebenen Werte gelten für eine Umgebungstemperatur von 25 °C.