IGBT Nennspannung bis 1.350 V

Schnell schaltende, integrierte IGBTs mit einer Nennspannung bis zu 1.350 V hat Toshiba angekündigt.
Schnell schaltende, integrierte IGBTs mit einer Nennspannung bis zu 1.350 V hat Toshiba angekündigt.

Schnell schaltende, integrierte IGBTs mit einer Nennspannung bis zu 1.350 V hat Toshiba angekündigt. In dem n-Kanal-„Enhancement Mode“ GT40RR21 sind ein IGBT und eine Reverse-Recovery-Freilaufdiode in einem monolithischen Baustein untergebracht.

Die neuen Bausteine unterstützen hohe Schaltgeschwindigkeiten und eignen sich für Spitzenströme bis 200 A bei 3 µs Pulsdauer. Die Ausschaltverluste liegen bei 0,30 mJ bei einer Gehäusetemperatur TC von 25 °C und 0,54 mJ bei 125 °C. Der Baustein mit einer Nennspannung von 1.350 V eignet sich für Sperrschichttemperaturen bis 175 °C. Bei 25 °C beträgt der maximale Kollektorstrom 40 A; er fällt bei einer Temperatur von 100 °C um 5 A. Der maximale Dioden-Durchlassstrom beträgt 20 A, die maximale Dioden-Durchlassspannung 3 V, die typische Sättigungsspannung UCS(sat) liegt bei 25 °C/2 V.

Geliefert wird der GT40RR21 im TO-3P(N)-, TO247-äquivalenten Gehäuse mit einer Größe von 15,5 × 20,0 × 4,5 mm³. Die Massenfertigung beginnt voraussichtlich in Q3/2012.