Für DC/DC-Wandler MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen

Toshiba erweitert sein Angebot an Kleinssignal-MOSFETs (S-MOS) mit einem neuen MOSFET in der 60-V-Klasse. Damit eignet sich der SSM3K318T beispielsweise zur Aufwärtswandlung von Batteriespannungen, wie es bei der Hintergrundbeleuchtung mittels weißer LEDs notwendig ist.

In tragbaren Geräten können die unterschiedlichen Schaltungen typischerweise mit der einfachen Batteriespannung betrieben werden. Dabei kommen dann Low-Voltage-MOSFETs mit einer maximalen Nennspannung von 20 V zum Einsatz. Für LED-Hintergrundbeleuchtungen mit in Serie geschalteten weißen LEDs sind jedoch höhere Spannungen erforderlich, so dass eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V benötigt wird. Mit dem spezifizierten maximalen Drain-Strom von 2,5 A eignet sich der n-Kanal- MOSFETs SSM3K318T zur Aufwärtswandlung der Batteriespannung auf Werte, wie sie zum Schalten von LED-Serienanordnungen erforderlich sind – und das bei hoher Schaltgeschwindigkeit und hohem Wirkungsgrad.

Der Durchlasswiderstand des SSM3K318T beträgt 83,5 mW bei UGS = 10 V; die Eingangskapazität nur 235 pF bei UDS = 30 V. Diese niedrige Widerstands- und Kapazitätswerte erhöhen die Schaltgeschwindigkeit und den Wirkungsgrad, was in tragbaren Anwendungen zu einer längeren Batterielebensdauer führt. Mit der Nennspannung von 60 V eignet sich der MOSFET auch für industrielle und Telekommunikation-Anwendungen.