LFPAK56-MOSFETs von Nexperia Luft- und Kriechstrecken erfüllen UL 2595

Die n-Kanal-MOSFETs haben eine Kriechstrecke von 1,5 mm und eine Luftstrecke von 1,55 mm.
Die n-Kanal-MOSFETs haben eine Kriechstrecke von 1,5 mm und eine Luftstrecke von 1,55 mm.

Nexperia bietet zwei seiner im LFPAK56-Gehäuse untergebrachten MOSFETs nun in einer Version mit längeren Luft- und Kriechstrecken an. Damit entsprechen die Leistungshalbleiterbausteine dem Standard UL 2595 für batteriebetriebene Geräte mit Betriebsspannungen von 15 bis 32 V.

Die n-Kanal-MOSFETs PSMN0R9-30ULD und PSMN1R0-40ULD weisen eine Kriechstrecke von 1,5 mm und eine Luftstrecke von 1,55 mm auf. Damit genügen sie dem Standard UL 2595, der Mindest-Luft- und Kriechstrecken von 1,5 mm zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen vorschreibt.

Der PSMN0R9-30ULD zeichnet sich durch eine Sperrspannung von 30 V, einen On-Widerstand von 0,87 mΩ und einen maximalen Drain-Strom von 300 A aus. Beim PSMN1R0-40ULD beträgt die Sperrspannung 40 V, der On-Widerstand 1,1 mΩ und der maximale Drain-Strom 280 A.

Die oberflächenmontierbaren MOSFETs sind kompatibel zum Industriestandard-Footprint Power-SO8. Im Gegensatz zu drahtgebondeten Power-SO8-Typen verwenden Nexperias LFPAK56-Gehäuse einen Kupferclip, der in einem einzigen Arbeitsgang auf die Die-Oberfläche gelötet wird. Das verringert den Ausbreitungswiderstand und sorgt damit für bessere thermische Eigenschaften.

Beide MOSFETs gehören zur Produktfamilie NextPowerS3 von Nexperia, die sich durch eine Kombination aus geringem On-Widerstand, hoher Strombelastbarkeit und großem SOA-Bereich (Safe Operating Area) auszeichnen. Ausgelegt sind die Leistungshalbleiterbausteine zur Ansteuerung batteriebetriebener Motoren.