SiC-MOSFET Leckstrom unter 1 µA

Der MF20120D von Cree.
Der MF20120D von Cree.

Cree hat eine Produktfamilie von Siliziumcarbid-MOSFETs unter dem Namen Z-FET auf den Markt gebracht. Dabei steht das Z in Anlehnung an die Schottky-Dioden-Familie Z-Rec für Zero Recovery.

Als erster Vertreter der Leistungs-MOSFET-Famile kommt ein 1200-V-Baustein mit der Bezeichnung CMF20120D auf den Markt. Der Leckstrom liegt unter 1 μV; der Einschaltwiderstand RDS(on) beträgt bei den neuen Bausteinen 80 mΩ bei 25 °C und bleibt über den gesamten Betriebstemperaturbereich unter 100 mΩ. Der Baustein eignet sich für Antriebs-Anwendungen bis 10 kW.