Fujitsu Electronics Europe Ganz neu: FRAM mit 8 Mbit

FRAM-Produkt mit einer Speicherdichte von 8 Mbit
FRAM-Produkt mit einer Speicherdichte von 8 Mbit

Fujitsu veröffentlicht ein neues FRAM-Produkt mit einer Speicherdichte von 8 Mbit. Der MB85R8M2T eignet sich für den Einsatz in Systemen zur industriellen Automatisierung sowie in Finanzdaten relevanten Logging-Systemen.

Das neue Produkt ist mit einer SRAM-kompatiblen parallelen Schnittstelle ausgestattet und bietet eine wesentlich effizientere Alternative zum batteriegestützten SRAM. Basierend auf den einzigartigen Eigenschaften von FRAM als nichtflüchtigem Speicher - wie schnellem Überschreiben bei 150 ns und 1013 Lese-/Schreibzyklen - kann MB85R8M2T ein SRAM ersetzen und gleichzeitig die Backup-Batterie überflüssig machen.

So können Hersteller kompaktere Hardwaresysteme entwerfen und bei den Komponenten- und Wartungskosten deutliche Einsparungen erzielen. Gleichzeitig ist eine langfristige Produktverfügbarkeit gewährleistet. Der MB85R8M2T bietet einen weiten Spannungsbereich von 1,8 bis 3,6 V. Er ist in einem 48-poligen FBGA-Gehäuse mit den Abmessungen 8 x 6 mm² erhältlich. Die Serienproduktion des MB85R8M2T ist bei Fujitsu Electronics Europe bereits angelaufen.