Toshiba BiCS4 Flash-Speicher mit 96 Lagen

Bis zu 2,66 TByte in einem Gehäuse: die neue Flash-Gereration BiCS4 von Toshiba.
Bis zu 2,66 TByte in einem Gehäuse: die neue Flash-Gereration BiCS4 von Toshiba.

Toshiba Memory Europe hat den Prototyp eines 96-Layer BiCS-Flash-Speicherbausteins vorgestellt. In ein Gehäuse mit 16 Chips passen dann 2,66 Terabyte.

Toshiba Memory Europe hat den Prototyp eines 96-Layer BiCS-Flash-Speicherbausteins vorgestellt, der auf der eigenen 3D-Flash-Technik beruht. Er speichert vier Bit pro Zelle.

Quad Level Cells (QLC) steigern die Anzahl der Bits pro Speicherzelle von drei auf vier, wodurch sich die Speicherkapazität wesentlich erhöht. Der neue Speicher erreicht damit die branchenweit höchste Speicherkapazität von 1,33 Terabit für einen einzelnen Speicher-IC. Er wurde gemeinsam mit Western Digital entwickelt.
 
Durch 16 übereinander angeordnete Chips wird damit eine Speicherkapazität von 2,66 Terabyte in einem einzigen Speicher-IC-Gehäuse erzielt. Erste Muster der Speicherchips sollen ab Anfang September an Hersteller von SSDs und SSD-Controllern geliefert werden, so dass im Jahr 2019 mit der Serienfertigung begonnen werden kann.

Ein in einem Gehäuse befindlicher Prototyp des neuen Speichers wird vom 6. bis 9. August auf dem Flash Memory Summit 2018 in Santa Clara, Kalifornien/USA vorgestellt. In Zukunft wird Toshiba Memory die Speicherkapazität und Leistungsfähigkeit seiner Speicher-ICs weiter verbessern und 3D-Flash-Speicher entwickeln, die verschiedenste Anforderungen erfüllen, einschließlich für den schnell wachsenden Markt für Rechenzentren.