TSMC Erste 16-nm-Chips mit FinFETs bereits Ende 2013

Auf einem Investorenmeeting gab der CEO der weltgrößten Foundry TSMC, Morris Chang, Einblicke in die Pläne der Taiwaner. Bereits Ende 2013 soll die sogenannte „Risiko-Produktion“ von 16-nm-Chips beginnen, dazu wird eine neue Entwicklungsfab für 7-nm-Halbleitern auf 450-mm-Wafern gebaut.

Chang gab bekannt, dass TSMC im Jahr 2012 8,3 Mrd. Dollar für neues Fab-Equipment ausgegeben hat, was im dritten Jahr in Folge einen Rekordwert darstellt. Im vierten Quartal 2012 werden 28-nm-Chips bereits 20 % der Gesamtproduktion ausmachen, nachdem sie im 1. Quartal 2012 noch 5 % repräsentierten. 2013 erwartet Chang dann, dass 30 % aller TSMC-Chips in 28-nm-Prozessen gefertigt werden.

Die Ausbeute des neuen 20-nm-Prozesses steigt laut Chang kontinuierlich, so dass man erste Bestellungen für Testchips entgegennehmen kann. Für den 16-nm-Prozess, bei dem erstmals FinFET-Transistoren zum Einsatz kommen werden, erwartet Chang, dass sein Unternehmen schon im 1. Quartal 2013 Bestellungen für Testchips annehmen kann. Die Risikoproduktion soll dann im November 2013 aufgenommen werden.

Chang ging sogar schon auf Pläne für 7-nm-Chips ein, die dann auf 450-mm-Wafern gefertigt werden sollen. Hierzu kaufte TSMC kürzlich 14 Hektar Land nahe an dem Hsinchu-Sience-Park, wo sich TSMCs Firmenzentrale und diverse große Fabs befinden, um dort eine F&E-Fab eben für diese Technologie zu bauen.

Chang erwartet von 2013 bis 2016 ein jährliches Umsatzwachstum, getrieben durch Mobilgeräte. Zudem bestätigte er auf Nachfrage, dass TSMC mit den Speicherherstellern Hynix aus Korea und Micron aus den USA hinsichtlich der Entwicklung von 3D-Packages zusammenarbeite. Man habe zwar zuvor mit dem japanischen Speicherhersteller Eldipa kooperiert, aber dieser ist ja bekanntlich Pleite gegangen.