Für Low-Voltage-Anwendungen Effiziente N-Kanal-MOSFETs mit 40 V

Die MOSFETs arbeiten bei Kanaltemperaturen bis 175 °C.
Die MOSFETs arbeiten bei Kanaltemperaturen bis 175 °C.

Seine U-MOS-IX-H-MOSFETs ergänzt Toshiba um zwei neue 40-V-N-Kanal-Typen. Der TK31E04PL im TO-220-Gehäuse und der TK3R1A04PL im TO-220SIS-Gehäuse erreichen eine maximale Durchlassspannung von 40 V und arbeiten mit Gate-Source-Spannungen von ±20 V.

Die maximalen Durchlassströme betragen 100 A beim TK3R1E04PL und 82 A beim TK3R1A04PL. Beide MOSFETs zeichnen sich durch ihren niedrigen Durchlasswiderstand von 2,5 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V und eine Ausgangskapazität von 1000 pF aus.

Durch eine optimierte Abwägung zwischen Widerstand und Kapazität sorgen die Bausteine für eine hohe Leistungsfähigkeit und Effizienz in DC/DC-Wandlern und in sekundärseitigen Schaltkreisen von AC/DC-Schaltnetzteilen. Beispielsweise stellen sie eine gute Lösung für synchrone Gleichrichter dar, bei denen die geringe Ausgangsladung für weniger Verluste bei der Gleichrichtung sorgt.

Die MOSFETs arbeiten bei Kanaltemperaturen bis 175 °C. Denn ein Merkmal der U-MOS-IX-H-Technologie von Toshiba ist, dass sie einen stabilen Betrieb über einen weiten Temperatur- und Lastbereich erlaubt.