Power-MOSFET Branchenerster SiC-Power-MOSFET mit integrierter SiC-SBD

Der Hochvolt-Power-MOSFET SCH2080KE von Rohm wartet mit deutlich reduzierten Leistungsverlusten auf. Davon profitieren Anwendungen wie Frequenz- und Stromumrichter. Erstmals konnte eine SBD in Siliziumkarbid erfolgreich in das gleiche Gehäuse integriert werden.

Einsatzbereiche sind beispielsweise Antriebe von industriellen Geräten und die Photovoltaik-Stromerzeugung. Die besonderen Eigenschaften umfassen eine geringe Verlustleistung, hohe Zuverlässigkeit, einen reduzierten Stromverbrauch und die Unterstützung kleinerer Peripherie-Komponenten.

Die Durchlassspannung ist um rund 70 % reduziert, was zu einer geringeren Verlustleistung führt. Außerdem kann auf die externe Freilaufdiode verzichtet werden. Bis zu 90 % können die Schaltverluste mit SiC-Leistungs-MOSFETs während des Abschaltvorgangs reduziert werden. Durch die gleichzeitige Reduzierung des On-Widerstands um ca. 30 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten ist eine deutliche Miniaturisierung möglich.

Im Vergleich zu Si-IGBTs, wie sie in Wechselrichtern eingesetzt werden, wird die Verlustleistung um 70 % oder mehr reduziert, selbst im Betrieb bei geringer Last. Dies bedingt aber nicht nur geringere Schaltverluste, sondern ermöglicht durch die Unterstützung von Frequenzen über 50 kHz auch die Verwendung von kleineren externen Komponenten.