FeFET

Bild. Die Polarisation des Gate-Isolationsmaterials – kristallines ferroelektrisches HfO2 – lässt sich mit einem Gate-Impuls umschalten, so dass der Kanal des CMOS-FETs wahlweise auf leitend oder...

Bild 1. Die Polarisation des Gate-Isolationsmaterials – kristallines ferroelektrisches HfO2 – lässt sich mit einem Gate-Impuls umschalten, so dass der Kanal des CMOS-FETs wahlweise auf leitend oder...