Die Highlights der IEDM 2018

Forschern des IMEC ist es gelungen, erstmals 3D Stacked FinFETs mit einem Fin-Abstand von 45 nm und 110 nm Gate-Abstand auf 300-mm-Wafern zu fertigen.

Forschern des IMEC ist es gelungen, erstmals 3D Stacked FinFETs mit einem Fin-Abstand von 45 nm und 110 nm Gate-Abstand auf 300-mm-Wafern zu fertigen.