Kompaktes, niederohmiges Gehäuse Automotive-qualifizierte 40-V-Leistungs-MOSFETs

Toshiba stellt zwei 40-V-n-Kanal-MOSFETs im niederohmigen SOP-Advance-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm vor. Das SOP-Advance-Gehäuse bietet benetzbare Anschlusspins, die eine automatisierte visuelle Inspektion der Lötstellen auf gedruckten Leiterplatten ermöglicht.

Die automatisierte visuelle Inspektion der Löststellen ist eine wesentliche Voraussetzung, um die Qualitätsanforderungen im Automotive-Bereich erfüllen zu können.

Der TPHR7904PB und der TPH1R104PB sind AEC-Q101-qualifiziert und eignen sich für diverse Automotive-Anwendungen wie beispielsweise die elektrische Servolenkung (EPS), Lastschalter, elektrische Pumpen und Lüfter.

Die neuen Leistungs-MOSFETs werden im aktuellen Trench-U-MOS-IX-H-Prozess gefertigt. Der U-MOS-IX-H-Aufbau senkt das Schaltrauschen im Vergleich zu Vorgängerprozessen und verringert damit das Schaltrauschen. Sie weisen bei 10 V Gate-Source-Spannung einen Durchlasswiderstand von maximal 0,79 mΩ auf. Die Bausteine mit einer Drain-Source-Spannung von bis zu 40 V können Drain-Ströme bis 150 A DC verarbeiten.

Toshiba präsentiert die Automotive-qualifizierten MOSFETs auf der PCIM Europe 2018 in Halle 9, Stand 301.